柵源本質上是一個電容器。因此，使用此高電阻器，將需要很長時間才能充電。MOSFET僅在柵極電容器充電到某個水平（閾值電壓）以上時才導通，因此您的開關速度非常慢。

經常使用柵極驅動器的原因是因為它們能夠迅速為柵極電容器充電（通常使用大於1A的電流），以使開關時間最小化。

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柵極上的大電阻會減慢MOSFET的開關速度。當您將MOSFET用作開關（ON-OFF）時是可以的，但是當您以20kHZ及更高的頻率驅動電動機時，應盡快進行開關以最大程度地減少熱量損失（開關速度越快意味著功率損耗越少）。請注意，您在門口看到的電阻器不僅用於保護MOSFET，還用於保護驅動MOSFET的所有器件（例如：微控制器）。過大的電流可能會湧入並損壞I / O引腳。

如Darko所說，從柵極側看MOSFET就是電容器。該電容器充滿電所需的電荷稱為柵極電荷（您可以在數據表中找到它）。充電後，MOSFET的電阻（RDS）降至最小值。因此，您可以理解，嘗試在沒有串聯電阻的情況下驅動該引腳意味著驅動器將沉沒/拉高電流（與為電容器充電時的浪湧電流相同）。

編輯：重新解釋數據表上顯示的值。顯示的電阻不是M \ $ \ Omega \ $，要低得多，它更像是 3400歐姆，具體取決於外部柵極電阻器切換時間的變化。

實際上，這在柵極電荷較高時​​確實會減慢開關速度，例如在15V 1.5A負載下的最小關斷開關時間為1.6ms。不對稱的開關時間意味著它們實際上可能在電阻兩端有一個二極管，以加快“接通”時間。箝位時，二極管將反向偏置，如下所述。

大阻值的電阻無論如何也無法保護柵極，這是永久性擊穿和絕緣損壞，而不是二極管擊穿。因此，ESD齊納二極管位於柵極引線上，以防止柵極-源極電壓過高。

那麼，為什麼要在您要求的地方放一個電阻器呢？好吧，這樣其他（過電壓）齊納管就可以完成任務。想像最壞的情況，我們將柵極引線短接到源極，然後可悲地增加漏極上的電壓（通過一些外部負載），等待D-S擊穿。當流過齊納二極管的電流超過某個mA時，MOSFET將導通並箝位過電壓。

由於柵極電容很大，因此功率MOSFET通常對ESD不太敏感。柵極實際上會在大約50V-100V的電壓下擊穿，因此大量能量必須到達柵極。相比較而言，RF MOSFET之類的微小MOSFET對ESD非常敏感。但是，典型的ESD人體模型甚至足以損壞中等功率的MOSFET柵極。

還有一個理由要在MOSFET柵極的前面放置一個串聯電阻-故意降低開關速度。這有助於最小化電路中的壓擺率，因此可以減少傳導和輻射發射，這可能是有用的EMC技術。

但是，要明確的是，包括電阻器的用途絕對不是 －正如其他人所指出的那樣，這是為了將箝位穩壓管保持在安全的工作區域內。另外，請注意，降低開關沿的速度會對電路性能產生負面影響（開關沿的熱損耗增加一個），因此，使用此技術都是一種折衷方案。

如果還使用齊納二極管將柵極源極電壓限制為小於MOSFET的Vgs額定值，則可以使用柵極串聯電阻。典型額定值為20V，並且將使用10V或15V齊納二極管。

為了快速打開/關閉，可以在電阻上並聯一個小電容器。假設電容器最初已放電。當您打開FET時，電流將流經電容器，並且電容器與FET的輸入電容之間幾乎會發生瞬時電荷分配。 FET將立即導通。如果在柵極驅動波形的邊緣期間電容器短路，則打開速度將幾乎相同。關斷時效果相同。

柵極電荷分配的工作原理如下。假設柵極電壓和電容器兩端的電壓最初為0，然後導通...

V_c = Qg / C_drive
Vgs = V_drive-V_c_drive

V_drive是柵極驅動電壓對於給定的Vgs，QBR是FET數據表中列出的總柵極電荷= V_drive
C_drive是與驅動電阻並聯的電容器。
Vgs是FET柵極源極電壓。
V_c_drive是開關之後C_drive兩端的電壓。

例如，如果通過具有10V驅動信號的10nF電容器驅動FET，並且在Vgs = 10V時總柵極電荷為1nC，則電容器將被充電。 ..

V_c_drive = 1nC / 10nF = 0.1V
Vgs = 10V-0.1V = 9.9V

請注意，這當然是一個近似值，因為Vgs不是10V，因此Qg實際上是

並聯柵極電阻的作用總是使電容器兩端的電壓趨於0V。因此，開關之後，電容器電壓將以R * C時間常數的速率從0.1V緩慢降至0V。在關斷週期中，電荷將以另一種方式分配，因此，以在接通時使用的相同方向進行測量時，最終電容器電壓將為-0.1V。

請注意，在關閉FET之前，無需等待電容器放電。如果您要立即將FET從打開狀態切換到關閉狀態，則關閉時的電荷分配將完全抵消打開時發生的情況，並且在周期結束時電容器電壓將接近於0。

電容器的值應足夠大，以使FET在所需的驅動電壓下的總柵極電荷僅產生較小的電容器電壓，但又應足夠小，以免過多的瞬態能量通過。通常，您應該使C_drive> Qg / 1V。

可以使用的電阻量取決於MOSFET數據表中最壞的情況下柵極洩漏電流以及齊納洩漏。重要的一點是，在整個溫度範圍內，總洩漏時間乘以串聯電阻的總和必須遠小於MOSFET閾值電壓。例如，如果您的FET閾值電壓為3V，則R *洩漏電流必須遠小於3V。關鍵是要防止洩漏使電阻器不堪重負，並防止在錯誤的時間使FET導通或關斷的直流偏置。

大多數FET在其數據表中列出了最大1uA以下的柵極洩漏。大多數齊納二極管洩漏幾uA，並且洩漏隨溫度呈指數增長。因此，齊納二極管解決了大部分柵極洩漏問題。因此，我認為100K或10K可能比1MEG更合適。