在學習電氣工程學時，您會聽到一個普遍的經驗法則，那就是MOSFET的柵極電流總是大約 。何時不安全地假定它為0？
在瞬態條件下，柵極電流將不為零，因為您需要對柵極電容充電（或放電），並且這需要電流。柵極電流越大，柵極電壓變化越快，器件切換越快。開關轉換完成後，柵極電流將接近零（主要是洩漏電流）。
對於低開關（PWM）頻率，均方根柵極電流將較低。更高的開關頻率將增加均方根電流。
最重要的例外通常不是靜態洩漏，而是在對柵極電容進行充電或放電以使其導通或關斷時。
通常需要大約0.1到1安培的門電流來在有用的快速時間內對柵極電容進行充電和放電。
太快會導致額外的損失。
太慢會導致FET在關斷和硬導通之間處於活動電阻狀態，並且耗散相對於正確設計可以實現的大量能量。
這就是為什麼需要柵極驅動器的原因，並且即使在很好地滿足電壓要求的情況下，也不能僅通過通常能夠提供1至30 mA電流的微控制器引腳來驅動MOSFET柵極。 >
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相關-MOSFET柵極驅動電流：
通常不希望以10 kHz以上的頻率開關MOSFET可能需要柵極驅動電流在0.1A-1A範圍內，以實現足夠的開關時間-視應用情況而定。在該範圍的高端，柵極驅動的頻率通常為10的許多倍。
MOSFET數據表規定了柵極電荷和柵極電容。電容通常在“幾毫微法拉”範圍內，柵極電荷通常為幾十毫微庫侖，而輸入電容通常為毫微法則或很少。
使用Digikeys參數選擇器I只是60-100 V Vds和10-20 Amp Ids的N溝道MOSFET的子集。
柵極電荷低至3.4 nC，輸入電容= 256 pF，
>高達225 nC，輸入電容為5700 pF
，底部中位數四分位數= 18 nC和870 pF，
頂部中位數四分位數= 46 nC和1200 pF
電荷必須為“泵入和流出柵極電容。
如果您以10 kHz的速度進行PWM，則1個週期= 100 uS，因此您希望切換時間只是其中的一小部分。如果要對零或從零到幾個nF充電或放電（通常為3V到12V），則必須具有至少100 mA的驅動電流。
1庫侖= 1安培秒，因此10 nC需要0.01 uS的平均值為1 A或0.1 uS的平均值為0.1A。上面帶有225 nC柵極電荷的可怕的離群MOSFET在1A時將花費0.225 uS，在0.1A時將花費2.25 uS。該FET比大多數FET差很多的原因是我“很特別-這是一個 100V 16A耗盡型器件，該器件通常在沒有柵極電壓的情況下導通，並且需要負柵極電壓才能將其關閉。但是，仍然可以通過這個60V，20A部分具有100+ nC柵極電荷來“捕捉”。
這個更普通的60V 14A部分 >具有最大18 nC的柵極電荷，以10 mA的電流從微控制器端口引腳驅動它，將需要！1.8 uS為柵極電容器充電-可能在10 kHz時可接受，而在100 kHz時非常差。 “適當驅動”時為110和41 nS，您希望將其切換到接近其上限的任何位置要比〜2 uS柵極充電時間更好。
示例：
200 nS高端柵極驅動器：
該電路的來源不確定-我認為是通過PICList成員。可以檢查是否有人在乎。請注意，該電路比“可能”更為智能。顯而易見。（奧林喜歡輸入排列耳鼻喉科）。 R14上的〜= 3V擺幅導致R15大約擺動15V，因此Q14 / Q15基極從+ 30V擺動至大約+ 15V，如果高端柵極驅動至P溝道MOSFET，則提供〜15V。
檢查數據表。對於此MOSFET，他們指定了柵極到源極的最大洩漏電流100nA。例如，如果從運算放大器驅動FET，則可能會忽略這一點。如果您使用的靜態電壓電荷很低，則100nA可能會太大。這完全取決於您的應用，但是在大多數情況下，此靜態電流可以忽略不計。導通和關斷將導致更大的電流峰值，以充放電柵極的電容。
假設的情況：假設您想對非常微小的電荷所產生的電壓進行檢測/檢測。 （即使很小的電流也可能通過很高的阻抗消耗掉電荷。）
有些波形表明了大型MOSFET的某些瞬態特性。柵極電流在切換期間變高，並且可能導致此處的柵極驅動電壓下降。 （黑線）
。
我認為這種概括是根據理想放大應用將MOSFET與BJT進行比較得出的。
“ BJT是一種電流控制設備（基極電流控制集電極電流，基極電壓箝位到就像老師說的那樣，而MOSFET是跨導器件（基極電流可忽略不計，基極電壓控制集電極電流）。
當您談論“穩態”放大器時（沒有硬開關或偏置中的大幅度波動）“零基極電流”的假設足以使您進行有意義的工作。
當您介紹高頻硬開關時，正如其他人指出的那樣MOSFET的固有電容支配了該行為（即，汲取的基極電流是柵極電容充電和放電的函數），因此“零電流”假設無效。