集成電路似乎具有5V,3.3V,2.5V的標準電壓。 1.8V ...
- 誰來決定這些電壓?
- 為什麼較小的設備需要較低的電壓?
集成電路似乎具有5V,3.3V,2.5V的標準電壓。 1.8V ...
隨著柵極幾何尺寸的縮小,需要較低的VDD。這樣可以防止損壞CMOS柵極氧化物並使洩漏最小化。當晶圓廠從0.5um切換到0.35um時,較薄的柵極只能處理高達3.6V的電勢。這導致電源電壓為3.3V +/- 10%。切換到0.18um,電壓進一步降低到1.8V +/- 10%。在最新的工藝中(例如45nm),柵極由高k電介質(例如半年)製成,以減少洩漏。
這是多個因素的組合:
最近情況變得更加複雜-由於固有的晶體管增益有限,電源電壓不易按比例縮小。該增益在晶體管通道的“導通”電阻(會限制開關速度)和“導通”電阻之間造成折衷(在給定的電源電壓下),導通電阻會限制電流通過開關通道的洩漏。這就是為什麼內核電源電壓穩定在1V左右,導致新數字IC芯片的速度增長得比以前慢得多,而功耗卻增長得比以前快的原因。如果考慮到製造工藝的可變性,情況會變得越來越糟-如果無法足夠準確地定位晶體管開關閾值電壓(並且隨著晶體管的變小,將變得非常困難),“導通” /“關斷”電阻之間的裕度就會消失。可變性是一個工程問題,因此至少在理論上是可以解決的,但是在獲得更好的器件之前,我們必須忍受MOS晶體管增益有限的問題。
電壓似乎遵循以下模式:
“ 為什麼較小的設備需要較低的電壓?”較小的IC具有較少的表面來散熱。只要有一點在IC中的某個位置切換,就必須對電容器進行充電或放電(即CMOS晶體管的柵極電容)。儘管數字IC中的transisotr通常很小,但是有很多,所以這個問題仍然很重要。儲存在電容器中的能量等於0.5 * C * U ^ 2。兩倍的電壓將導致每個MOSFET柵極必須使用的能量的2 ^ 2 = 4倍。因此,即使從2.5V降到1.8V很小的步伐也將帶來可觀的改善。這就是為什麼IC設計人員數十年來不僅僅堅持5V電壓,而是等到該技術準備使用1.2V電壓,而是使用介於兩者之間的所有其他有趣電壓電平的原因。
簡短的回答:TI的極客們是這樣說的,其他所有人也紛紛效仿,製造兼容或競爭的產品。
選擇了5伏作為抗噪性。早期的芯片是耗電量很大的器件,每次切換開關時都會在電源中引起紋波,設計人員可以通過在每個芯片的電源引腳上放置一個電容器來克服這些開關。即使這樣,額外的2.4伏裕量也為他們提供了緩衝,防止進入0.8V至2.2V的禁止區域。同樣,晶體管僅通過其操作就導致〜0.4 V電壓降。芯片上的組件之間的間距較小,因此需要較低的電壓以防止過度加熱,因為較高的電壓會穿過較薄的絕緣層。
由誰來決定IC的電壓由誰決定。
在過去,有人開始使用5V進行數字邏輯處理,並且卡住了很長時間,這主要是因為出售這種芯片的難度更大每個人在設計時都需要以5V運行的芯片時需要4V。
低:每個人傾向於使用相同電壓的原因與其說是他們選擇相同的工藝,不如說是這就是他們不想被使用其芯片的設計人員詛咒使用“異常”電壓的原因。
如果電壓更高,以一定速度切換信號會消耗更多功率,所以速度越高您需要較低的電壓來保持電流下降,這就是為什麼更快,更密集的現代電路傾向於使用比舊芯片更低的電壓。
許多芯片甚至使用3.3V的I / o和更低的電壓,例如內部內核的1.8V。
芯片設計人員知道1.8V是一個奇數電壓,通常會有一個內部穩壓器來提供內核電壓對於芯片本身,使設計人員不必產生內核電壓。
以雙電壓情況為例,看看運行在3.3V但內部具有2.5V電壓的ENC28J60。調節器。
電壓由材料(無論如何是半導體材料)的物理特性和芯片製造中使用的過程決定。 (我希望我在這裡使用正確的術語...)不同類型的半導體具有不同的間隙電壓-本質上是“激活”它們的電壓。他們還可以優化芯片的結構,以使較低的電壓在進行佈局時能夠更可靠地工作(我相信)。
這並不是說較小的設備需要較低的電壓,這是他們設計的它們使用較小的電壓,因為較小的電壓意味著較少的散熱和可能更快的運行。如果只需要在0V至1.8V之間進行操作,則擁有10MHz時鐘信號會更容易。