當您的二極管具有一定的勢壘電壓(例如,Si的電壓為0.7 V)並且您施加的電壓高於該勢壘電壓時,為什麼二極管兩端的電壓保持在0.7V?
我知道二極管上的輸出電壓會隨著施加正弦輸入而增加,直到達到0.7標記為止,但我似乎不明白為什麼在此點之後它仍保持恆定。
對我來說,任何大於此勢壘電位的電位都將允許電流通過,因此,二極管兩端的電位應為施加的電壓減去0.7 V。
當您的二極管具有一定的勢壘電壓(例如,Si的電壓為0.7 V)並且您施加的電壓高於該勢壘電壓時,為什麼二極管兩端的電壓保持在0.7V?
我知道二極管上的輸出電壓會隨著施加正弦輸入而增加,直到達到0.7標記為止,但我似乎不明白為什麼在此點之後它仍保持恆定。
對我來說,任何大於此勢壘電位的電位都將允許電流通過,因此,二極管兩端的電位應為施加的電壓減去0.7 V。
二極管兩端的電壓不會保持在約0.7V。增加電流時,正向電壓也會增加(此處為:1N400x):
當進一步增加電流時,功耗變得太大,二極管最終變為LED(發光二極管),不久之後變為SED(煙熏二極管)。因此在實踐中不會出現更大的正向電壓。
電壓是我們可以觀察和測量的,但變化的是電阻。
二極管從大電阻開始,當您對其施加電壓時,電阻會保持相當恆定,直到接近正向擊穿電壓為止。那時電阻開始下降。
過去膝蓋的阻力很低。膝蓋後的任何進一步增加都不會引起阻力的變化。
由於R下降,為了維持該電壓,您必須增加電流...很多。二極管已成為一個小的電阻器“開關”,因此可稱為導通。
二極管的全電壓電流關係如下所示。
膝蓋前的斜率是前導電導(1 / R),膝蓋前的斜率是前導電導。
實際的數學當然比這複雜得多,但是我發現此描述有助於人們理解。
為什麼二極管兩端的電壓保持在0.7V?
不是。大多數情況下,恆定的0.7V就足夠了,就像平整的土地足以在城鎮中開車一樣。
如果電流以1,000:1的比例增加或減少,該怎麼辦?您應該期望看到至少 0.058伏的V 二極管 sub>變化。
如果電流變化10,000:1怎麼辦?預期至少為4 * 0.058伏。
在高電流(1 mA或更高)時,矽的體電阻開始影響對數行為,您將在I 二極管 sub>和V 之間獲得更多的直線關係二極管 sub>。
此行為的標準方程式涉及“ e”,即2.718。
$$ Idiode =是* [e ^-(q * Vdiode / K * T * n)-1] $$ 在室溫和理想的摻雜曲線下(n = 1) $$ Idiode =是* [e ^ -Vdiode / 0.026 -1] $$
順便說一句,雙極晶體管發射極基極二極管也存在相同的行為。假設在1mA處有0.60000000伏,在1μA處,則期望減少3 * 0.058V = 0.174V。在1納安時,期望降低6 * 0.058 V = 0.348 V.在1皮安時,期望減少9 * 0.058伏= 0.522伏(最終二極管兩端只有78毫伏);也許這種純對數行為不再是一種精確的工具,接近零伏V 二極管 sub>。
正如其他答案所解釋的那樣,電壓並非恆定在0.7V,而是基於您所提問題的勢壘電位,我想您已經意識到這一點,並在詢問為什麼會發生這種情況的更多有關半導體物理學的問題。/ p>
原因是,如您已經提到的,二極管的耗盡區(施加零電壓)會產生約0.7V的勢壘電勢(假設是典型的矽二極管)。當您施加正向電壓時,耗盡區會變小。在低電壓下,較大的耗盡區會限制大部分電流,並且隨著電壓的增加,減小的耗盡區會導致電阻減小(並因此導致電流增大)。這一直持續到接近〜0.7V,此時耗盡區和電阻都非常小。這導致指數V-I關係。
重點是您不能“施加高於此勢壘電位的電壓”,二極管不允許您這樣做。
也就是說,處於傳導模式的二極管的邊際阻抗小於電源的源阻抗:您的電壓源在0.7V二極管上的驅動電壓不能超過“ 0.7V”,因此“二極管保持在0.7V“。
當然,處於導電模式的二極管的邊際阻抗並不完全為零,因此,如果您的電壓源試圖提供大於零的電流,則電壓會有所上升。與二極管相比,您的電源電壓的邊際阻抗可能非常低,因此它可能能夠在二極管出現故障之前將二極管電壓提高到很高的水平。這些是二階效應。二極管的簡單模型是在0.7V以上的電壓下傳導的,它是一種通過接受無限大的電流來限制電壓的裝置。
一旦二極管在足夠的偏壓下打開,它就會通過一個小的串聯電阻作用一個0.7或0.6(取決於材料)的電壓源。
因此,如果我們增加輸入電壓,則小電阻器上的電流也會增加。 因此,隨著輸入電壓的增加,二極管兩端的輸出會發生變化。
通常,二極管被認為是理想的,因此沒有串聯的電阻。 因此,二極管兩端的o / p電壓保持恆定。