閃存存儲器和EEPROM都使用浮柵晶體管來存儲數據。兩者之間有何不同？為什麼Flash這麼快？
第一個ROM設備必須通過某種機械，光刻或其他方式在其中放置信息（在集成電路之前，通常使用柵格，可以選擇性地安裝或省去二極管）。第一個重大改進是“保險絲-PROM”，該芯片包含一個由熔斷二極管組成的柵格，以及行驅動晶體管，其強度足以使選擇行並強制輸出狀態可以將任何二極管上的保險絲燒斷。一個不想要。儘管此類芯片是可電寫的，但是將在其中使用它們的大多數設備都沒有強大的驅動電路來進行寫入。相反，將使用稱為“編程器”的設備對其進行寫入，然後將其安裝在需要能夠讀取它們的設備中。
下一個改進是植入電荷存儲設備，該設備可以電荷被電植入但不能去除。如果將此類設備包裝在紫外線透明包裝（EPROM）中，則可以在暴露於紫外線約5-30分鐘後將其擦除。這樣就可以重用那些其內容不有價值的設備（例如，有缺陷的或未完成的軟件版本）。將相同的芯片放入不透明的包裝中可以使它們以更低的價格出售給最終用戶應用，而最終用戶幾乎不可能有人希望擦除和重複使用它們（OTPROM）。一項成功的改進使得可以在沒有紫外線（早期EEPROM）的情況下以電氣方式擦除設備。
早期的EEPROM器件只能整體擦除，並且編程所需的條件與正常操作相關的條件大不相同。因此，與PROM / EPROM器件一樣，它們通常用在可以讀取但不能寫入它們的電路中。後來對EEPROM的改進使擦除較小的區域（即使不是單個字節）成為可能，並且還允許它們使用與它們相同的電路來寫入。儘管如此，名稱並沒有改變。
當一種叫做“ Flash ROM”的技術出現時，EEPROM設備允許在應用電路中擦除並重寫各個字節是很正常的。從某種意義上說，Flash ROM在功能上有所退步，因為擦除只能大塊進行。儘管如此，將擦除限制在大塊內仍使得存儲信息的能力比EEPROM的緊湊得多。此外，許多閃存設備比EEPROM設備具有更快的寫入周期，但擦除週期較慢（許多EEPROM設備需要1-10ms的時間來寫入字節，而需要5-50ms的時間來擦除；閃存設備通常需要不到100us的時間才能完成寫入操作。
我不知道閃存和EEPROM之間有明確的分界線，因為某些自稱為“閃存”的設備可以在每次擦除時擦除。個字節的基礎上。儘管如此，當今的趨勢似乎是將“ EEPROM”用於具有逐字節擦除功能的設備，將“閃存”用於僅支持大塊擦除的設備。
擾流器：EEPROM實際上是閃存。
正如超級貓的出色解釋所指出的那樣，EEPROM是舊的可紫外線擦除的EPROM的演進（EEPROM的“ EE”代表“電可擦除”）。儘管它是對舊夥伴的改進，但今天的EEPROM存儲信息的方式與閃存完全相同。
唯一的主要區別是兩者之間是讀/寫/擦除邏輯。
NAND閃存（常規閃存）：
可以僅在又名頁面中被擦除。字節塊。您可以讀寫（覆蓋未寫入的）單個字節，但是擦除操作需要擦除很多其他字節。
在微控制器中，通常用於固件存儲。某些實現支持從固件內部處理閃存，在這種情況下，只要您不弄亂用過的頁面，就可以使用該閃存來保存信息（否則將擦除固件）。
NOR Flash（又名EEPROM）：
可以讀取，寫入和擦除單個字節。它的控制邏輯佈局使得所有字節都可以單獨訪問。儘管它比常規閃光燈慢，但此功能對較小/較舊的電子設備有利。例如，較舊的CRT電視和顯示器使用EEPROM來保存用戶配置，例如亮度，對比度等。
在微控制器中，通常就是用來保存配置，狀態或校準數據的。相對於Flash而言，這樣做要好得多，因為擦除單個字節時，您不必記住（RAM）重寫頁面的內容。
有趣的事實
常見的誤解是， NOR Flash 使用 NOR門，而 NAND Flash 使用 NAND門（實際上似乎很明顯）。 但是事實並非如此。命名的原因是每種存儲器類型的控制邏輯與NAND和NOR門的原理圖符號相似。
閃存是EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）的一種。 “ Flash”更多地是營銷術語，而不是特定的技術。但是，這些術語已經趨於收斂，是指為大尺寸和高密度而優化的一種EEPROM，通常以較大的擦除和寫入塊和較低的耐用性為代價。
閃存是EE-PROM的一種變體，它正在變得流行。閃存和EE-PROM之間的主要區別在於擦除過程.EE-PROM可以在寄存器級別擦除，但是閃存必須全部或全部擦除。
“閃存”存儲是存儲在內存芯片（非易失性內存）中的統稱，而不是旋轉軟盤，CD，DVD，硬盤等磁盤。
NORNOR和NAND是原始的閃存芯片，由Fujio Masuoka在東芝大約1980年工作時發明。大多數USB拇指驅動器使用“ NOR”和“ NAND”。
閃存還包括EEP-ROM（電可擦可編程只讀存儲器）和NV-RAM（非易失性隨機存取存儲器）。 EEP-ROM價格便宜，可用於大多數係統級芯片和Android設備中的存儲。 NV-RAM較為昂貴，可用於Apple設備中的固態驅動器和存儲。
新的NV-RAM芯片比EEP-ROM和其他閃存技術快得多。
有關更多信息，請參見： http://www.crifan.com/___flash_memory_nand_eeprom_nvram_and_others_zt/